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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
한상보 (Kyungnam University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제68권 제12호
발행연도
2019.12
수록면
1,580 - 1,585 (6page)
DOI
10.5370/KIEE.2019.68.12.1580

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In this paper, the effects of carbon source and oxygen flow rates on the growth of high-quality polycrystalline diamond thin-film by MPECVD process and the interatomic binding characteristics by boron doping were investigated. As the N-hexane flow rate increases, the peak near 285.7eV on the high binding energy due to the carbon-carbon double bond (π bond) increases, and the crystallinity was reduced such as the decrease of the peak of single bond (σ defect). By supplying oxygen, the sp3 peak, which is a diamond carbon-carbon bond, was evident and the crystallinity was increased. In addition, the valence band electron distribution of the diamond film with high crystallinity was peaked at about 8.7eV, and the bandgap was found to be between 5.2 and 5.5eV.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
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