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장우진 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 백용순 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2019년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2019.11
수록면
115 - 118 (4page)

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This paper is about the design of a trans-impedance amplifier (TIA) capable of 50 Gbps data transmission. In order to enhance a bandwidth, an inductor is used for gain peaking effect in the TIA circuit. It was investigated through equations derived from the simplified common-base amplifier circuits to analyze the gain peaking effect occurring in the inductor in the TIA circuit. To observe the gain peaking effect of the inductor, we used a SiGe 0.13 μm BiCMOS library to design a TIA circuit with inductor and a TIA circuit without inductor. The TIA with inductor has 64 GHz of 3-dB bandwidth, 50 dBΩ of ZT, 163 mW of PDC, and 129 ΩGHz/mW of ZTBW/PDC. Compared with the TIA without inductor, the 3-dB bandwidth of the TIA with inductor is improved by 49 GHz, and it is considered to be applicable to the PAM-4 200 Gbps TROSA capable of transmitting 50 Gbps per channel.

목차

Abstract
I. 서론
II. 64 GHz/50 dBΩ TIA 설계
Ⅲ. 인덕터에 의한 Trans-Impedance Amplifier의 대역폭 향상도 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌

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