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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
권호상 (국방과학연구소) 최길웅 (한화시스템) 이상민 (웨이비스) 김동욱 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제31권 제1호(통권 제272호)
발행연도
2020.1
수록면
43 - 50 (8page)

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본 논문에서는 0.4 μm GaN HEMT 공정을 사용하여 웨이비스에서 개발된 80×350 μm의 트랜지스터를 사용하여 S-대역에서 동작하는 300 W급 내부 정합 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 웨이비스의 0.4 μm GaN HEMT 공정에 사용된 웨이퍼는 4 인치 GaN on SiC 기판이며, 개발된 소자는 필드 플레이트와 후면 비아 홀을 포함하고 있다. 전력 증폭기의 설계는 하이브리드 로드풀 측정을 통해 도출된 최적 입·출력 임피던스를 이용하여 진행되었다. 제작된 전력 증폭기는 2.9~3.5 GHz에서 300 μs의 펄스 폭과 2 ms의 펄스 주기로 동작하는 15 % 듀티의 펄스 모드로 측정되었으며, 입력 전력이 45 dBm일 때 295~336 W의 출력 전력과 46.9~58.5 %의 전력부가효율, 9.7~10.2 dB의 전력 이득을 보였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaN HEMT 소자 기술
Ⅲ. 로드풀 측정 및 최적 임피던스 추출
Ⅳ. 내부 정합 전력 증폭기 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
References

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