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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 540 - 545 (6page)
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본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 S-대역 내부 정합형 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. S-대역 내부 정합형 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고유전율을 가지는 기판과 알루미나 기판을 이용하여 입/출력단 정합 회로를 설계 및 제작하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 3 GHz에서 55.4 dBm의 출력 전력, 78 % 드레인 효율 그리고 11 dB의 전력 이득을 얻었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계 및 제작
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (8)
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[학술지(정기간행물)] - Aethercomm / 2008 / Gallium Nitride(GaN) microwave transistor technology for radar applications / Microwave Journal 51 (1) : 106 ~
[학술지(정기간행물)] - Isao Takenka / 2014 / High-efficiency and high power microwave amplifier using GaN-on-Si FET with improves high temperature operation characteristics / IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 62 (3) : 502 ~ 512
[학술대회논문] - K. Krishnamurthy / 2007 / A 250 W S-band GaN HEMT amplifier / Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium : 1 ~ 4
[학술대회논문] - Simon M. Wood / 2012 / Hybrid and monolithic GaN power transistors for high power S-band radar applications / Microwave Integrated Circuits Conference(EuMIC) : 421 ~ 424
[학술대회논문] - K. Krishnamurthy / 2008 / Wideband 400 W pulsed power amplifiers / Microwave Symposium Digest, 2008 IEEE MTTS International : 303 ~ 306
[학술지(정기간행물)] - Isao Takenka / 2014 / High-efficiency and high power microwave amplifier using GaN-on-Si FET with improves high temperature operation characteristics / IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 62 (3) : 502 ~ 512
[학술대회논문] - K. Krishnamurthy / 2007 / A 250 W S-band GaN HEMT amplifier / Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium : 1 ~ 4
[학술대회논문] - Simon M. Wood / 2012 / Hybrid and monolithic GaN power transistors for high power S-band radar applications / Microwave Integrated Circuits Conference(EuMIC) : 421 ~ 424
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