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In this study, the surface changes of titanium alloy using laser surface treatment and the surface analysis using laser-induced plasma spectroscopy were carried out. The laser surface treatment induced changes in surface roughness and the diffusion of atmospheric elements. Excessive melting or less melting caused roughness changes, but when moderate levels of energy were applied, a smoother surface could be obtained than the initial surface. In the process, the diffusion of atmospheric elements took place. To analyze the diffusion of atmospheric elements with respect to surface morphology, the surfaces were re-shaped with grinding. In this experimental conditions, the effect of plasma formation by surface roughness was identified. Compensated plasma signals for the material properties were obtained and analysed by removing the background plasma signal.
목차
ABSTRACT
1. Introduction
2. Background Theory
3. Experimental Method
4. Results and Discussion
5. Conclusion
References
참고문헌 (22)
참고문헌 신청
정동현 / 2018 / A Study on Surface Characteristics of High Tensile Brass with Molybdenum Flame Spray Treatment / 한국기계가공학회지 17(6):38~45
박상규 / 2018 / 자동차 경량소재 AlSiCu 합금의 기계적 특성을개선하기 위한 최적의 이중 열처리공정 / 한국기계가공학회지 17(3):102~108
Xu, J. / 2019 / Effects of alloying elements and heat treatment on hydrogen diffusion in SCRAM steels / Journal of Nuclear Materials 516:135~143
Zhou, Z. / 2018 / Rapid, deep dopant diffusion in crystalline silicon by laser-induced surface melting / Materials Science in Semiconductor Processing 86:8~17
Mosbacher, M. / 2018 / Oxygen diffusion kinetics of an advanced three step heat treatment for zirconium alloy ZrNb7 / Surface and Coatings Technology 339:139~146
박상규 / 2018 / 자동차 경량소재 AlSiCu 합금의 기계적 특성을개선하기 위한 최적의 이중 열처리공정 / 한국기계가공학회지 17(3):102~108
Xu, J. / 2019 / Effects of alloying elements and heat treatment on hydrogen diffusion in SCRAM steels / Journal of Nuclear Materials 516:135~143
Zhou, Z. / 2018 / Rapid, deep dopant diffusion in crystalline silicon by laser-induced surface melting / Materials Science in Semiconductor Processing 86:8~17
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