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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
차광형 (Hanyang University) 주창태 (한양대) 민성수 (한양대) 김래영 (한양대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제25권 제3호
발행연도
2020.6
수록면
204 - 212 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2020

유도 가열 시스템에서 SiC MOSFET과 GaN Transistor의 성능 비교를 통한 소자 적합성 분석
차광형 ,  주창태 ,  민성수 외 1명 전력전자학회논문지 2020.06 학술저널
Induction Heating System에서 SiC MOSFET과 GaN Transistor의 Performance 비교를 통한 소자 적합성 분석
차광형 전기공학과 2020.01 학위논문

2019

Induction Heating System에서 SiC MOSFET과 GaN Transistor의 Performance 비교를 통한 소자 적합성 분석
차광형 ,  김래영 전력전자학회 학술대회 논문집 2019.11 학술대회자료

초록· 키워드

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In this study, device suitability analysis is performed by comparing the performance of SiC MOSFET and GaN Transistor, which are WBG power semiconductor devices in the induction heating (IH) system. WBG devices have the advantages of low conduction resistance, switching losses, and fast switching due to their excellent physical properties, which can achieve high output power and efficiency in IH systems. In this study, SiC and GaN are applied to a general half-bridge series resonant converter topology to compare the conduction loss, switching loss, reverse conduction loss, and thermal performance of the device in consideration of device characteristics and circuit conditions. On this basis, device suitability in the IH system is analyzed. A half-bridge series resonant converter prototype using the SiC and GaN of a 650-V rating is constructed to verify device suitability through performance comparison and verified through an experimental comparison of power loss and thermal performance.
#WBG device #Induction heating #GaN HEMT #SiC MOSFET #Performance comparison

목차

Abstract
1. 서론
2. Half-bridge 컨버터를 적용한 IH 시스템
3. WBG 소자의 손실 해석
4. IH 시스템에서의 소자 적합성 분석
5. 실험 비교 분석 및 검증
6. 결론
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
D. Domes / 2005 / A first loss evaluation using a vertical SiC-JFET and a conventional Si-IGBT in the bidirectional matrix converter switch topology / European Conference on Power Electronics and Application google schola J. Biela / 2011 / SiC versus si-evaluation of potentials for performance improvement of inverter and DC-DC converter system by SiC power semiconductors / IEEE Trans. Ind. Electron 58(7):2872~2882 google schola A. Zapico / 2012 / SiC and Si transistors comparison in boost converter / 2012 15th International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC) google schola R. O. Nielsen / 2013 / Efficiency and cost comparison of Si IGBT and SiC JFET isolated DC/DC converters / Proceedings of the 39th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2013) :695~699 google schola K. Shirabe / 2014 / Efficiency comparison between Si -IGBT-based drive and GaN-based drive / IEEE Trans. Ind Appl 50(1):566~572 google schola

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