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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
차광형 (Hanyang University) 주창태 (한양대) 민성수 (한양대) 김래영 (한양대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제25권 제3호
발행연도
2020.6
수록면
204 - 212 (9page)

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In this study, device suitability analysis is performed by comparing the performance of SiC MOSFET and GaN Transistor, which are WBG power semiconductor devices in the induction heating (IH) system. WBG devices have the advantages of low conduction resistance, switching losses, and fast switching due to their excellent physical properties, which can achieve high output power and efficiency in IH systems. In this study, SiC and GaN are applied to a general half-bridge series resonant converter topology to compare the conduction loss, switching loss, reverse conduction loss, and thermal performance of the device in consideration of device characteristics and circuit conditions. On this basis, device suitability in the IH system is analyzed. A half-bridge series resonant converter prototype using the SiC and GaN of a 650-V rating is constructed to verify device suitability through performance comparison and verified through an experimental comparison of power loss and thermal performance.

목차

Abstract
1. 서론
2. Half-bridge 컨버터를 적용한 IH 시스템
3. WBG 소자의 손실 해석
4. IH 시스템에서의 소자 적합성 분석
5. 실험 비교 분석 및 검증
6. 결론
References

참고문헌 (15)

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