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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 17 - 23 (7page)
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Recently, electric semiconductors became an issue because of efficient use of energy and compaction of electronics. Silicon electric semiconductors are difficult to put into it because of its physical limitations. Hence, the study of WBG (Wideband Gap) semiconductors like SiC and GaN began. These devices received attention because it can be miniaturized and worked at high temperatures over 300oC. WBG MOSFET electric semiconductors can show performance like silicon IGBT. This can solve the current problem of IGBT tail. The current study shows the technical principles and issues related to SiC and GaN power semiconductors. WBG devices can achieve high performance compared to silicon, but its performance can’t be fully utilized because of lack in bonding technology. Therefore, this review introduces research on WBG devices and their packaging issues.
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J. Millan / 2014 / A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices / IEEE Trans. Power Electron 29:2155
A. Agarwal / 2011 / Advances in SiC MOSFET Performance / ECPE SiC & GaN Forum Potential of Wide Band Gap Semiconductors in Power Electronic Applications
Ashutosh Sharma / 2014 / SiC based Technology for High Power Electronics and Packaging Applications / 마이크로전자 및 패키징학회지 20(2):71~78
S. C. Ko / 2014 / Trends in Wide Band-gap Semiconductor Power Devices for Automotive, Power Conversion Modules and ETRI GaN Power Technology / Electronics and Telecommunications Trends 29:53
R. S. Pengelly / 2012 / A Review of GaN on SiC High Electron Mobility Power Transistors and MMICs / IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques 60(6):1764
A. Agarwal / 2011 / Advances in SiC MOSFET Performance / ECPE SiC & GaN Forum Potential of Wide Band Gap Semiconductors in Power Electronic Applications
Ashutosh Sharma / 2014 / SiC based Technology for High Power Electronics and Packaging Applications / 마이크로전자 및 패키징학회지 20(2):71~78
S. C. Ko / 2014 / Trends in Wide Band-gap Semiconductor Power Devices for Automotive, Power Conversion Modules and ETRI GaN Power Technology / Electronics and Telecommunications Trends 29:53
R. S. Pengelly / 2012 / A Review of GaN on SiC High Electron Mobility Power Transistors and MMICs / IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques 60(6):1764
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