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학술저널
저자정보
Suhyeon Kim (Seoul National University) Myung-Hyun Baek (Seoul National University) Sungmin Hwang (Seoul National University) Taejin Jang (Seoul National University) Kyungchul Park (Seoul National University) Byung-Gook Park (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.3
발행연도
2020.6
수록면
242 - 248 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2020.20.3.242

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We propose a novel vector-matrix multiplication (VMM) architecture based on NAND synaptic array using a pMOSFET which is an analog switch shape cell for neural network (NN) applications. A NAND FLASH memory string is consisting of a NAND cell and a pMOSFET not to open string. A NAND cell’s resistance can be modulated by threshold voltage (Vth) depending on the amount of trapped charge when an input signal applies. If there is no input spike, a NAND cell is turned off and a pMOSFET acts as a pass gate so that only a constant voltage drop exists. Based on this NAND cell and a pMOSFET pair series, we confirm VMM operation. And inference method 1 layer fullyconnected network (FCN) is implemented by circuit simulation to test 8x8 MNIST. The result of 84% recognition accuracy compared to software artificial neural networks (ANN) 86% accuracy.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. NAND FLASH MEMORY FOR SYNAPSTIC DEVICE
III. ANALOG SWITCH FOR SYNAPSE
IV. CIRCUIT OPERATION ANALYSIS
V. BENCH MARKING RESULT WITH MNIST
VI. CONCLUSIONS
REFERENCES

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