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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.1
- 수록면
- 363 - 370 (8page)
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RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링 -형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다 모델 파라미터는 최적화 과정없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성 을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정 된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기 의 MOS 트랜지스터에 적용되어 졌다. 추출된 기 판 회 로망을 이 용한 가상실험 결과와 측정치는 약 30GHz까지 일치함을 검증하였다.
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