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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.12
- 수록면
- 27 - 34 (8page)
이용수
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최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 02㎛ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특생을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모젤과 기 판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다 이 추출방법들을 015㎛ CMOS 소자에 작용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 Y₂₂- parameter 에 30GHz 까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11 에서 0.5㎛까 지 변화시키고 드레인 전압을 0 에서 12V 까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성 응 새롭게 추출하였다. 이라한 새로운 추출 결과는 scalable 한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델 파라미터 추출
Ⅲ. 추출된 Bias 및 게이트 길이 종속곡선
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - N. Camilleri / / the microwave device technology for the 90s : 545 ~ 548
[학술지(정기간행물)] - C.-H. Kim / March1999 / Unique extraction of substrate parameters of common-source MOSFET's 9 : 108 ~ 110
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / July2001 / A small -signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs 48 : 1374 ~ 1379
[학술지(정기간행물)] - Y.-J. Chan / May1998 / Characteristics of deep-submicrometer MOSFET and its empirical nonlinear RF model 46 : 611 ~ 615
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / nov2003. / Direct extraction technique for a small -signal MOSFET equivalent circuit with sub -strate parameters 39 (4) : 344 ~ 347
[학술지(정기간행물)] - C.-H. Kim / March1999 / Unique extraction of substrate parameters of common-source MOSFET's 9 : 108 ~ 110
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / July2001 / A small -signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs 48 : 1374 ~ 1379
[학술지(정기간행물)] - Y.-J. Chan / May1998 / Characteristics of deep-submicrometer MOSFET and its empirical nonlinear RF model 46 : 611 ~ 615
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