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저자정보
Kim, Yong-Tae (Div. System Engineering, Semiconductor Devices Laboratory, Korea Institute of Science and Technology) Sim, Hyun-Sang (Div. System Engineering, Semiconductor Devices Laboratory, Korea Institute of Science and Technology) Kim, Seong-Il (Div. System Engineering, Semiconductor Devices Laboratory, Korea Institute of Science and Technology)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
발행연도
2002.1
수록면
72 - 74 (3page)

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A submicron contact scheme using $WN_x$ diffusion barrier has been suggested for multilevel interconnect structure. The contact resistance of $0.4\times0.48\mu\textrm{m}^2$ size Al/WN/Ti/$n^+$-Si is 120-140 $\Omega$ and the leakage current density is below than $10^{-16}$<TEX>$-10^{-15}A/\mu\textrm{m}^2$<TEX>. The effect of F atoms on the submicron contact has been investigated with the nuclear resonance analysis method.

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