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저자정보
가순식 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 유화숙 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부) 조남준 (한국기술교육대학교 응용화학공학과) 소병수 (홍익대학교 신소재공학과) 황진하 (홍익대학교 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
발행연도
2006.1
수록면
221 - 224 (4page)

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이온주입으로 비정질화된 실리콘의 재결정화 및 활성화에 대한 실험을 전기로를 이용하여 수행하였다. 비정질 실리콘이 결정화 및 활성화가 이루어지면 전계효과 이동도가 좋아진다. 이동도가 향상되면 저항이 작아지고, 이로 인하여 소자의 크기가 작아질 수 있어 소형화가 가능해진다. 결정화 정도를 확인하는 방법으로 Four point probe를 이용한 면저항 측정과 라만 peak 측정을 이용하였다. 이온주입 후 비정질화된 실리콘의 재결정화를 통해서는 $600\;^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 값이 가장 많이 결정화가 되었다는 것을 알 수 있었다.

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