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학술대회자료
저자정보
문경주 (연세대학교 신소재공학부) 최지혁 (연세대학교 신소재공학부) 이태일 (연세대학교 신소재공학부) 맹완주 (포항공과대학교 신소재공학과) 김형준 (포항공과대학교 신소재공학과) 명재민 (연세대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
발행연도
2009.1
수록면
202 - 202 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2011

무전해 식각법으로 합성된 Si 나노와이어를 이용한 CMOS 인버터
문경주 ,  이태일 ,  이상훈 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2011.01 학술대회자료
무전해 식각법을 이용한 n-type 실리콘 나노와이어의 표면제어에 따른 전기적 특성
문경주 ,  이태일 ,  이상훈 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2011.01 학술대회자료

2009

무전해 식각법을 이용한 실리콘 나노와이어 FET 소자
문경주 ,  최지혁 ,  이태일 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 2009.01 학술대회자료

초록· 키워드

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최근 무전해 식각법을 이용한 실리콘 나노와이어 합성이 다양한 각도에서 이루어지고 있다. 무전해 식각법을 통한 나노와이어 합성은, 단결정 실리콘 기판에 촉매를 올려 기판을 식각할 수 있는데, 이 방법을 이용하여 넓은 면적의 수직방향으로 배열된 10 ~ 300nm 지름의 단결정 실리콘 나노와이어를 합성할 수 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법으로 boron이 도핑된 p-type실리콘 기판을 식각하여 실리콘 나노와이어를 합성하였고, 단일 나노와이어의 field-effect transistor(FET) 소자가 가지는 전기적 특성에 대하여 분석하였다. 특히 무전해 식각법을 이용하여 나노와이어를 합성할 때, 촉매로 사용되는 Ag particle이 나노와이어에 미치는 영향에 대해서 분석해 보았다. FET 소자의 게이트 절연막은 가장 일반적으로 사용되는 SiO2 (300nm)와 고유전체로 잘 알려진HfO2(80nm)를 사용하여 전기적 특성을 비교하여 보았다. 한편, HfO2 박막은 atomiclayer deposition(ALD)장비를 이용하여 증착하였다. 합성된 실리콘 나노와이어의 경우 X-ray diffraction(XRD)로 결정성을 확인하였으며, high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM)으로 결정성 및 나노와이어의 표면 형태를 확인하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, subthreshold voltage값을 평가하였다.
#Si nanowires #electroless etching #FET #HfO2

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