Pt/Ti/Si 기판에서의 후속열처리에 따른 PZT 박막의 형성 및 특성

백상훈; 백수현; 황유상; 마재평; 최진석; 조현춘

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 백상훈 (한양대학교 재료공학과) 백수현 (한양대학교 재료공학과) 황유상 (한양대학교 재료공학과) 마재평 (호남대학교) 최진석 (삼성반도체부문 기흥 연구소) 조현춘 (산업기술정보원)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회

발행연도: 1993.1

수록면: 64 - 65 (2page)

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연구방법

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (2)

1993

Pt/Ti/Si 기판에서의 후속열처리에 따른 PZT 박막의 형성 및 특성

백상훈 , 백수현 , 황유상 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

1992

급속열처리법을 사용한 PZT박막의 형성 및 특성에 관한 연구

백상훈 , 백수현 , 황유상 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료

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MPB 조성영역인 Zr/Ti=52/48의 composite ceramic target을 사용하여 RF magnetron sputtering 방법으로 기판온도 약 30$0^{\circ}C$에서 RZT 박막을 Pt/Ti/Si 기판위에 증착시켰다. 안정상인 perovskite 구조를 형성시키기 위하여 PbO분위기에서 furnace annealing 과 Repid thermal annealing을 실시하여 열처리 방법에 따른 상형성 및 계면반응과 그에 따른 전기적 특성을 고찰 하였다. Pt 의 두께가 250$\AA$인 경우 furnace annealing 시 $650^{\circ}C$에서 perouskite 상이 형성되었으나 Pt층이 산소의 확산을 방지하지 못하여 상부의 Ti 층이 TiOx로 변태하였으며 하부의 Ti는 Si 과 반응하여 Ti-silicide 롤 변태하였다. 또한 75$0^{\circ}C$,60sec 인 경우 Pt 층의 응집화가 관찰되어 하부전극으로서 적용이 적절하지 못하다. 급속열처리를 실시한 경우에도 마찬가지로 Ti 층이 TiOx 와 silicide 층으로 변태되었다. Pt의 두께가 1000$\AA$인 경우에도 250$\AA$와는 달리 RTA 시 (III)방향으로 Furace annealing 시(001)방향으로 우선 성장하였다. 이는 Ti(001), P(111),PZT(111)면의 lattic mismatch 가 매우 작은데다 RTA 시 계면반응이 거의발생하지 않아 PZT 박막이 (111) 방향으로 우선 성장한 것으로 보인다. Furnace annealing 경우는 심한 계면반응이 발생하여 Pt층에 어느 정도 영향을 주었기 때문에 우선성장 방향이 바뀌었다구 생각한다.

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