이온선보조증착에 의한 Si(100)상에서 정합성장된 $Si_{1-x}Ge_{x}$층의 성장방식

박상욱 ,  심재엽 ,  한희돈 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$박막의 성장방식

박상욱 ,  백홍구

한국재료학회지

1995 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

전자공학회논문지

1989 .11

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

HEMT 기생소자의 새로운 추출법 ( A New Parasitic Extraction Method for HEMTs )

김병성 ,  남상욱

대한전자공학회 학술대회

1994 .05

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter Extraction Technique for High Performance HEMT's Using only S-parameters )

이대희 ,  권영우 ,  고원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .10

S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter extraction technique for high performance HEMT`s using only S-parameters )

이대희 ,  권영우 ,  고원 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1997 .01

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

HEMT 소자의 2차원적 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Two-Dimensional Electron Concentration and Potential for HEMT Device )

도태영 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

Ge-Si-Te 기억소자의 온도 및 주파수영향

朴昌燁 ,  鄭鴻倍

전기의세계

1975 .09

Si와 Ge의 초정밀 절삭특성

원종호 ,  박상진 ,  안병민 외 4명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2000 .05

Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도

강대석 ,  신창호 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06