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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박상욱 (연세대학교 금속공학과) 백홍구 (연세대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제5권 제3호
발행연도
1995.1
수록면
297 - 309 (13page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1995

이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$박막의 성장방식
박상욱 ,  백홍구 한국재료학회지 1995.01 학술저널

1994

이온선보조증착에의한 Si1-xGex(x=0.2, 0.5)층의 저온정합성장에 관한연구
박상욱 ,  백홍구 한국진공학회 학술발표회초록집 1994.02 학술대회자료
이온선보조증착에 의한 HEMT 소자용 $Si_{1-x}Ge_{x}$ 층의 정합성장
박상욱 ,  심재엽 ,  한희돈 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1994.01 학술대회자료
이온선보조증착에 의한 Si(100)상에서 정합성장된 $Si_{1-x}Ge_{x}$층의 성장방식
박상욱 ,  심재엽 ,  한희돈 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1994.01 학술대회자료

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본 연구에서는 이온선보조증착법에 의해 Si(100)기판위에 정합성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$층의 핵성성과 성장을 고찰하였다. 성장층에 대한 AFM(Atomic Force Microscopy), RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 등의 분석결과 Si(100)기판위에 이온선보조증착에 의하여 성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$</TEX>층은 Stranski-Kranstanov(SK)기구로 성장되며, 300eV, 10 $\mu$A/$cm^{2}$의 Ar이온선을 조사시키는 경우 결정성이 향상되었고, SK 성장 방식의 임계두께가 증가하였다. Ar 이온선 조사에 의해 MBE에 의한 정합성장온도(55$0^{\circ}C$-$600^{\circ}C$)보다 훨씬 낮은 20$0^{\circ}C$에서 정합성장이 가능하였으며, $x_{mn}$값은 10.5%로 MBE에 의한 정합성장시 보고된 $x_{mn}$ 값보다 낮았다. 이온충돌에 의해 발생한 3차원 island의 분해와 표면확산의 증가가 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$층의 성장에 현저한 영향을 미쳤으며, 이온충돌의 영향은 3차원 island의 생성보다 3차원 island의 분해가 더 안정한 낮은 증착온도에서만 관찰되었다.

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