AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PHEMT 설계ㆍ제작

이응호 ,  조승기 ,  윤용순 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs

Jong-Won Lim ,  Ho-Kyun Ahn ,  Hong-Gu Ji 외 4명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .06

AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구 ( Studies on the MIMIC Power Amplifier using the AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT )

이성대 ,  채연식 ,  윤용순 외 3명

전자공학회논문지-SD

2001 .01

Improvement of Off-state Breakdown Voltage in InGaAs PHEMT Structure

S. I. Kim ,  J. Jo

Journal of Electrical Engineering and information Science

2000 .02

Interpretation of Low-Frequency Transconductance Dispersion in AlGaAs / InGaAs PHEMT using Capacitance DLTS

최경진 ,  이종람 ,  유형모

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

PHEMT 소자 최적화에 대한 연구

한효종 ,  이문교 ,  설우석 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

MIMIC 전력증폭기에 응용 가능한 0.2 ㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT

이응호

한국통신학회논문지

2002 .04

PCS용 전력 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 P-HEMTs의 제작과 특성

이진혁 ,  김우석 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in INGaAs Layer

Tae Kyung Yoo ,  Ki Woong Chung ,  안도열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in InGaAs Layer

Tae-Kyung Yoo ,  Ki-Woong Chung ,  Doyoel Ahn 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성

손영진 ,  이봉훈 ,  정문영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

mm-wave용 전력 PHEMT 제작 및 특성 연구 ( Studies on the Fabrication and Characteristics of PHEMT for mm-wave )

이성대 ,  채연식 ,  윤관기 외 2명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

밀리미터파 PHEMT의 도핑층 설계에 따른 특성 변화

박훈 ,  박진국 ,  정지학 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06