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박연규 (인하대학교 신소재공학부) 박안나 (인하대학교 신소재공학부) 이종무 (인하대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제8호
발행연도
2005.1
수록면
514 - 517 (4page)

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Effects of nitrogen and oxygen annealing on the carrier concentration, carrier mobility, electrical resistivity and PL characteristics as well as the crystallinity of ZnO films deposited on sapphire substrates by atomic layer deposition (ALD). X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscope (SEM), photoluminescence (PL) analyses, and Hall measurement were performed to investigate the crystallinity, optical properties and electrical properties of the ZnO thin films, respectively. According to the XRD analysis results the crystallinity of the ZnO film annealed in an oxygen atmosphere is better than that of the ZnO film annealed in a nitrogen atmosphere. Annealing undoped ZnO films grown by ALD at a high temperature above $600^{\circ}C$ improves the crystallinity and enhances W emission but deteriorates the electrical conductivity of the flms. The resistivity of the ZnO film annealed particularly at $800^[\circ}C$ in a nitrogen atmosphere is much higher than that annealed at the same temperature in an oxygen atmosphere.

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