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자료유형
학술저널
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제39권 제6호
발행연도
2006.12
수록면
250 - 254 (5page)

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Effect of hydrogen partial pressure ratio on the structural and electrical properties of highly c-axis oriented ZnO films deposited by oxygen ion-assisted pulsed filtered vacuum arc at a room temperature was investigated. The hydrogen partial pressure ratio were 1.4%~9.8% at 40% oxygen pressure ratio. The conductivity of ZnO:H films was increased from 1.4% up to 4.2% due to relatively high carrier mobility caused by improvement of crystallinity. While the conductivity of ZnO:H films were decreased over than 4.2% and (0002) orientation was also deteriorated. The lowest resistivity of ZnO:H films was 2.5 × 10?³ Ωㆍ㎝ at 4.2% of hydrogen pressure ratio. Transmittance of ZnO:H films in visible range was 85% which is lower than that of undoped ZnO films because of declined preferred orientation.
#Electrical property #Structure #ZnO thin film #Vacuum arc #Hydrogen effect #Low temperature deposition

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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