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학술저널
저자정보
최재웅 (한양대학교 재료공학부) 황길호 (한양대학교 재료공학부) 한원규 (한양대학교 재료공학부) 이완희 (한양대학교 재료공학부) 강성군 (한양대학교 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제9호
발행연도
2005.1
수록면
577 - 584 (8page)

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Thin Ni-B layer, $1{\mu}m$ thick, was electrolessly deposited on Cu electrode fabricated by electro-deposition. The purpose of the layer is to encapsulate Cu electrodes for preventing Cu oxidation and to serve as a diffusion barrier. The layers were annealed at $580^{\circ}C$ with and without pre-annealing at $300^{\circ}C$ for . 30minutes. In the layer with pre-annealing, the amount of Cu diffusion was lower about 5 times than the layer without pre-annealing. The difference in Cu concentration may be attributed to $Ni_3B$ formation prior to Cu diffusion. However, the difference in Cu concentration decreased during the annealing time of 5 h due to the grain growth of Ni.
#electroless Ni-B deposition #HR-XRD #diffusion barrier

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