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자료유형
학술저널
저자정보
최재웅 (한양대학교 재료공학부) 황길호 (한양대학교 재료공학부) 송준혜 (한양대학교 재료공학부) 강성군 (한양대학교 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제11호
발행연도
2005.1
수록면
735 - 740 (6page)

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The phase transformation of Ni-B diffusion barrier by Cu diffusion was studied. The Ni-B diffusion barrier, thickness of 10(Inn, was electrolessly deposited on the electroplated Cu interconnect. The specimens were annealed either in Ar atmosphere or in $H_2$ atmosphere from $300^{\circ}C\;to\;800^{\circ}C$ for 30min, respectively. Although the Ni-B coated specimens showed the decomposition of $Ni_3B$ above $400^{\circ}C$ in both Ar atmosphere and $H_2$ atmosphere, Ni-B powders did not show the decomposition of $Ni_3B$. The $Ni_3B$ was decomposed to Ni and B in hi atmospherr: and the metallic Ni formed the solid solution with Cu and the free B was oxidized to $B_2O_3$. However, both the boron hydride and free B were not observed in the diffusion barrier after the annealing in $H_2$ atmos There. These results revealed that the decomposition of $Ni_3B$ by Cu made the Cu diffusion continued toward the Ni-B diffusion barrier.
#electroless Ni-B deposition #diffusion barrier #decomposition #Cu interconnect

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