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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
송영민 (LG 실트론, 충남대학교 재료공학과) 문영희 (LG 실트론) 김종오 (충남대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제1호
발행연도
2001.1
수록면
55 - 60 (6page)

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고 에너지 (1.5 MeV) 이온 주입된 Boron의 농도와 silicon 기판의 초기 산소 농도의 변화에 따라 silicon기판에 형성된 결정 결함 및 금속 불순물의 Gettering 효율에 대하여 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy), SIMS(Secondary ion Mass Spectroscopy), BMD(Bulk Micro-Defect) analysis 및 TEM (Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 연구하였다. 이온 주입 전후의 DLTS 결과를 확산로 및 RTA를 이용한 열처리 전후의 DLTS 결과와 비교할 때 이온 주입 전 시편에서 볼 수 있는 공공에 의한 깊은 준위는 열처리 온도의 증가에 따라 금속 불순물과 관련된 깊은 준위로 천이함을 알 수 있다. 또한 고온 열처리의 경우, 초기 산소 농도가 높을수록 깊은 준위의 농도가 감소함을 볼 때 초기 산소 농도가 높을 수록 gettering 효율 측면에서 유리한 것으로 사료된다
#Ion Implantation #Oxygen Concentration #CZ Silicon Wafer #DLTS

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