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저자정보
양준모 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 이완규 (시스템 IC 연구소 공정개발 2팀) 박태수 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 이태권 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 김중정 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 김원 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 김호정 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 박주철 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀) 이순영 (현대전자산업[주] 메모리연구소 분석개발팀)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제2호
발행연도
2001.1
수록면
88 - 93 (6page)

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$N_2$처리에 의해 Si (001) 기판에 형성된 C49상의 구조를 갖는 에피택셜 $TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성을 X선 회절법 (XRD)과 고분해능 투과전자현미경법 (HRTEM)으로 조사하였다. 에피택결 $C49-TiSi_2$상은 $1000^{\circ}C$ 정도의 고온에서도 안정상인 C54상으로 상변태하지 않고 형태적으로도 고온 특성이 우수하다는 것이 밝혀졌다. HRTEM 결과로부터 에피택결 $TiSi_2$상과 Si 사이의 결정학적 방위관계는 (060) [001]TiSi$_2$//(002) [110]Si임을 알 수 있었고 계면에서의 격자 변형에너지는 misfit 전위의 형성에 의하여 해소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 HRTEM상의 해석과 원자 모델링을 통하여 Si에서 에피택셜 C49-TiSi$_2$상의 형성기구와 C49상의 (020) 면에 존재하는 적층결함을 고찰하였다.
#epitaxial C49-TiSi $_2$ #Si #X-ray diffraction #high-resolution transmission electron microscopy #phase transformation

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