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불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
Si (001) 기판에서 $N_2$처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-$TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구
한국재료학회지
2001 .01
TiSi2 박막의 Agglomration 거동에 미치는 Si기판 의존성
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
TiN/TiSi₂ 경합반응과 불순물 재분포 특성에 대한 기판 실리콘에 주입된 BF₂ 불순물 농도의 영향
전기학회논문지
1993 .06
C49 $TiSi_2$상의 에피구조 및 상안정성
한국재료학회지
1994 .01
기판 실리콘의 BF₂ 불순물 원자에 의한 TiN/TiSi₂ bilayer의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate )
전자공학회논문지-A
1996 .03
Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )
전자공학회논문지-A
1994 .08
Co/M/(100)Si에서의 dopant의 열처리에 따른 재분포
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1991 .01
급속 열처리공정 ( RTA ) 에 의한 a-Si / Ti / a-Si 다층구조의 TiSi2 형성에 관한 연구 ( Titanium Silicide Formation of the a-Si / Ti / a-Si Multilayer by Rapid Thermal Annealing )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성.
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
Poly-Si/$SiO_2$/Si 기판위에 증착된 코발트실리사이드의 전기적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
$Al_2O_3$/si 기판위에 형성한 (Bi,La)$Ti_3O_{12}$ 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합
한국재료학회지
2001 .01
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