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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박상식 (상주대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제9호
발행연도
2002.1
수록면
718 - 723 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

메모리소자를 위한 TiAlN 방지막의 산화 거동
박상식 한국재료학회지 2002.01 학술저널
고밀도 메모리 소자를 위한 TiAIN 박막의 산화거동과 방지막 특성
박상식 ,  이병택 ,  정재인 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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$Ti_{1-x}$ $Al_{ x}$N thin films as barrier layer for memory devices application were deposited by reactive magnetron sputtering. The crystallinity, micro-structure, oxidation resistance and oxidation mechanism of films were investigated as a function of Al content. Lattice parameter and grain size of thin films were decreased with increasing the Al content Oxidation of the film with higher Al content is slow and then, total oxide thickness is thinner than that of lower Al content film. Oxide layer formed on the surface is AlTiNO layer. Oxidation of $Ti_{1-x}$ /$Al_{x}$ N barrier layer is diffusion limited process and thickness of oxide layer with oxidation time increased with a parabolic law. The activation energy of oxygen diffusion, Ea and diffusion coefficient, D of $Ti_{0.74}$ /X$0.74_{0.26}$N film is 2.1eV and $10^{-16}$ ~$10^{-15}$ $\textrm{cm}^2$/s, respectively. $_Ti{1-x}$ /$Al_{x}$ XN barrier layer showed good oxidation resistance.
#${Ti_{1-x}}{Al_x}N$ thin film #barrier layer #oxidation #sputtering

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