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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이섭 (국민대학교 신소재공학부) 이재갑 (국민대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제5호
발행연도
2003.1
수록면
338 - 342 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

Ti glue layer, Boron dopant, Nplasma 처리들이 Cu와 low-k 접착력에 미치는 효과
이섭 ,  이재갑 한국재료학회지 2003.01 학술저널

2002

Boron 첨가 및 $N_2$ Plasma 처리가 Cu와 low-k 접착력에 미치는 영향
이섭 ,  고연규 ,  이재갑 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Adhesion between Cu and low-k films has been investigated. Low-k films deposited using a mixture of hexamethyldisilane(HMDS) and Para-xylene had a dielectric constant as low as 2.7, showing the thermally stable properties up to $400^{\circ}C$. In this study, Ti glue layer, boron dopant, and $N_2$plasma treatment were used to improve adhesion property of between Cu and low-k films. Ti glue layer slightly improved adhesion property. After $N_2$plasma treatment, the adhesion property was significantly improved due to the increased roughness and the formation of new binding states between Ti and plasma-treated PPpX : HMDS. However, $300^{\circ}C$ annealing of $N_2$plasma treated sample caused the diffusion of Cu into the PPpX : HMDS, degrading the low-k properties. In the case of Cu(B)/Ti/PPpX : HMDS, the adhesion was remarkably increased. This enhanced adhesion was attributed to formation of Ti-boride at the Cu-Ti interface. It is because the formed Ti-boride prevented the diffusion of Cu into the PPpX : HMDS and the Cu-Ti reaction at the Ti interface.
#Cu #low-k #Ti glue layer #boron #$N_2$plasma

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