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저자정보
고정대 (제주대학교 물리학과) 이유성 (제주대학교 물리학과) 강민성 (제주대학교 물리학과) 이광만 (제주대학교 전자공학과) 이개명 (제주대학교 전기공학과) 김덕수 (제주대학교 화학과) 최치규 (제주대학교 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제11호
발행연도
1998.1
수록면
1,067 - 1,073 (7page)

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CO와 $H_2$의 탄소원을 사용한 마이크로파 플라즈마 화학기상증착 방법으로 SOD 구조에 적용될 양질의 다이아몬드 박막을 형성하였고, SOD 구조를 형성하기 위해 diamond/Si(100) 구조 위에 poly-Si 박막을 저압화학기상 증착법으로 제작하였다. CO/$H_2$탄소원의 유량비 증가에 따라 다이아몬드의 결정은 octahedron 구조에서 cubo-octahedron 구조로 바뀌었으며, 결정면은 {111}과 {100}으로 혼합되어 형성되었다. 비정질 carbon과 non-diamond성분이 없는 양질의 다이아몬드 박막은 CO/$H_2$의 유량비가 0.18일 때 형성되었으며, 주 결정상은 (111) 면이었다. diamond/Si(100) 계면은 void가 없는 평활한 계면을 이루었으며, 다이아몬드 박막의 유전상수, 누설전류와 비저항은 각각 $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ 그리고 $9\times{10^7}{\Omega}cm$이었다.

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