노즐 형태 HCP RT-MOCVD에 의해 증착된 티타늄 산화막 특성

정일현

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정일현 (단국대학교 화학공학과)

저널정보: 한국공업화학회 공업화학 공업화학 제17권 제2호

발행연도: 2006.1

수록면: 194 - 200 (7page)

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금속 산화막 공정에 응용하기 위하여 노즐형태 HCP (hollow cathode plasma) RT-MOCVD에 의해 티타늄 산화막을 증착하였다. TTNB (titanium n-butoxide)를 사용하였을 경우 막을 증착한 후 열처리하여야 하지만 titanium ethoxide에 의해 막을 증착하면 일반적으로 수반되는 열처리 공정을 생략하여도 티타늄 산화막이 직접적으로 형성되었다. RF-power 240 watt, 전극과 기판과의 거리가 3 cm, 반응시간 20 min, Ar와 $O_2$의 유량비 1 : 1에서 티타늄과 산소의 조성비가 1 : 2임을 확인할 수 있었다. 따라서 노즐형태 HCP RT-MOCVD에 의해 티타늄 산화막을 열처리 공정 없이 증착되었으며, 저온에서 다양한 금속 산화막 증착 공정에 응용할 수 있었다.

#hollow cathode plasma #room temperature #MOCVD #titanium oxide film

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