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저자정보
Lee, Joo-Won (Display & Nano Devices Laboratory, KIST) Chang, Jae-Won (P-Si Development Gr, Laboratory in Gumi, LG.Philips LCD Co., Ltd.) Kim, Hoon (Display & Nano Devices Laboratory, KIST) Kim, Kwang-Ho (Display & Nano Devices Laboratory, KIST) Kim, Jai-Kyeong (Display & Nano Devices Laboratory, KIST) Kim, Young-Chul (Display & Nano Devices Laboratory, KIST) Lee, Yun-Hi (Dept.of Physics, Korea University) Jang, Jin (Dept. of Physics, Kyunghee University) Ju, Byeong-Kwon (Display & Nano Devices Laboratory, KIST)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
668 - 672 (5page)

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In order to reach the high electrical quality of organic thin film transistors (OTFTs) such as high mobility and on-off current ratio, it is strongly desirable to study the enhancement of electrical properties in OTFTs. Here, we report the novel method of hydrogen $(H_{2})$ plasma treatment to improve electrical properties in inverted staggered OTFTs based on pentacene as active layer. To certify the effect of this method, we compared the electrical properties of normal device as a reference with those of device using the novel method. In result, the normal device as a reference making no use of this method exhibited a field effect mobility of 0.055 $cm^{2}/Vs$, on/off current ratio of $10^{3}$, threshold voltage of -4.5 V, and subthreshold slope of 7.6 V/dec. While the device using the novel method exhibited a field effect mobility of 0.174 $cm^{2}/Vs$, on/off current ratio of $10^{6}$. threshold voltage of -0.5 V, and subthreshold slope of 1.49 V/dec. According to these results, we have found the electrical performances in inverted staggered pentacene TFT owing to this novel method are remarkably enhanced. So, this method plays a key role in highly improving the electric performance of OTFTs. Moreover, this method is the first time yet reported for any OTFTs

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