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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 1,266 - 1,269 (4page)
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Polycrystalline silicon (poly-Si) films were prepared directly on plastic substrates at a low (< $200^{\circ}C$) by using Catalytic Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) technique without subsequent annealing steps. Surface roughness of the poly-Si layer and the density of the gate dielectric layer were found to be influential to the TFT performance.
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