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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.3
- 수록면
- 1 - 10 (10page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (20)
2009
2003
2001
Hot Wire CVD를 이용한 다결정 Si 박막의 고속 저온 증착
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
대한전기학회 학술대회 논문집
2001.07
학술대회자료
저가 고효율 태양전지용 다결정 실리콘 박막의 저온 증착
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
열선 CVD에 의해 증착된 다결정 실리콘 박막의 구조적 특성 분석
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
한국태양에너지학회 논문집
2001.03
학술저널
열선 화학 기상증착법에 의한 다결정 실리콘 박막의 고속 저온 증착
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
한국재료학회 학술발표대회
2001.01
학술대회자료
2000
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘 ( λc-Si : H ) 박막 증착 ( The Hydrogenated Micro-crystalline Silicon ( λc-Si : H ) Films Deposited by Hot Wire CVD Method )
이정철
,
송진수
,
박이준
전자공학회논문지-SD
2000.08
학술저널
Hot Wire CVD법에 의한 미세결정 실리콘 박막의 저온 증착
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
대한전기학회 학술대회 논문집
2000.07
학술대회자료
태양전지용 미세 결정 실리콘(μc - Si:H) 박막의 고속 저온 증착 및 특성분석
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2000.06
학술대회자료
Hot Wire CVD를 이용한 다결정 실리콘 박막의 저온 증착
이정철
,
강기환
,
김석기
외 3명
한국재료학회 학술발표대회
2000.01
학술대회자료
1999
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Polycrystalline silicon(poly-Si) films are deposited on low temperature glass substrate by Hot-CVD(HWCVD). The structural properties of the poly-Si films are strongly dependent on the
temperature(T_w). The films deposited at high T_w of 2000℃ have superior crystalline proper average lateral grain sizes are larger than Iμm and there are no vertical grain boundaries. The Sill of the high T_w samples are naturally textured like pyramid shape. These large grain size and text surface are believed to give high current density when applied to solar cells. However, the pol films are structurally porous and contains high defect density, by which high concentration of C and O resulted within the films by air-penetration after removed from chamber.
temperature(T_w). The films deposited at high T_w of 2000℃ have superior crystalline proper average lateral grain sizes are larger than Iμm and there are no vertical grain boundaries. The Sill of the high T_w samples are naturally textured like pyramid shape. These large grain size and text surface are believed to give high current density when applied to solar cells. However, the pol films are structurally porous and contains high defect density, by which high concentration of C and O resulted within the films by air-penetration after removed from chamber.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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