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학술저널
저자정보
김성연 (연세대학교 신소재공학부) 명재민 (연세대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제1호
발행연도
2009.1
수록면
24 - 27 (4page)

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Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) thin films were deposited onto 300 nm-thick oxidized Si substrates and glass substrates by direct current (DC) magnetron sputtering of IGZO targets at room temperature. FESEM and XRD analyses indicate that non-annealed and annealed IGZO thin films exhibit an amorphous structure. To investigate the effect of an annealing treatment, the films were thermally treated at $300^{\circ}C$ for 1hr in air. The IGZO TFTs structure was a bottom-gate type in which electrodes were deposited by the DC magnetron sputtering of Ti and Au targets at room temperature. The non-annealed and annealed IGZO TFTs exhibit an $I_{on}/I_{off}$ ratio of more than $10^5$. The saturation mobility and threshold voltage of nonannealed IGZO TFTs was $4.92{\times}10^{-1}cm^2/V{\cdot}s$ and 1.46V, respectively, whereas these values for the annealed TFTs were $1.49{\times}10^{-1}cm^2/V{\cdot}$ and 15.43V, respectively. It is believed that an increase in the surface roughness after an annealing treatment degrades the quality of the device. The transmittances of the IGZO thin films were approximately 80%. These results demonstrate that IGZO thin films are suitable for use as transparent thin film transistors (TTFTs).
#IGZO #sputtering #transparent thin film transistors #TTFT)

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E. Fortunato / 2005 / Thin Solid Films 487:205 google schola H. Hosono / 2007 / Thin Solid Films 515:6000 google schola K. Nomura / 2003 / Science 300:1269 google schola R.L. Hoffman / 2003 / Appl. Phys. Lett 82:733 google schola R. Martins / 2006 / J. Non. Cryst. Solids 352:1471 google schola

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