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저자정보
장동필 (한국전자통신연구원) 노윤섭 (한국전자통신연구원) 이정원 (엘아이지 넥스원) 안기범 (한국전자통신연구원) 엄만석 (한국전자통신연구원) 염인복 (한국전자통신연구원) 나형기 (엘아이지 넥스원) 안창수 (국방과학연구소) 김선주 (국방과학연구소)
저널정보
한국군사과학기술학회 한국군사과학기술학회지 한국군사과학기술학회지 제12권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
446 - 451 (6page)

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In this paper, we described the design and test results of a high output power amplifier MMIC developed by using 0.5um power pHEMT processes on a 6-inch GaAs wafer for the X-band T/R module application. In the MMIC design, we have used a simple on-chip gate active bias technology to compensate the threshold-voltage variation of pHEMT during the fabrication process and 16-to-1 power combining method to achieve the output power over 10watt. The fabricated chip has an output power over 12watts and maximum PAE of 32% over the frequency range of fo +/-750MHz.

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