a-Si:H TFT의 누설전류 및 문턱전압 특성 연구

양기정; 윤도영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 양기정 (광운대학교 화학공학과) 윤도영 (광운대학교 화학공학과)

저널정보: 한국화학공학회 화학공학 화학공학 제48권 제6호

발행연도: 2010.1

수록면: 737 - 740 (4page)

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높은 누설 전류와 문턱 전압의 이동은 비정질 실리콘(a-Si:H) 트랜지스터(TFT)의 단점이다. 이러한 특성은 게이트 절연체와 활성층 박막의 막 특성, 표면 거칠기와 공정 조건에 따라 영향을 받는다. 본 연구의 목적은 누설 전류와 문턱 전압의 특성을 개선하는데 목적이 있다. 게이트 절연체의 공정 조건에 대해서는 질소를 증가한 증착 공정 조건을 적용하였고, 활성층의 공정 조건에 대해서는 산소를 증가한 공정 조건을 적용하여 전자 포획을 감소시키고 박막의 밀도를 증가시켰다. $I_{off}$는 $65^{\circ}C$ 조건하에서 1.01 pA에서 0.18pA로, ${\Delta}V_{th}$는 -1.89 V에서 -1.22V로 개선되었다.

#a-Si:H TFT #Leakage Current #Threshold Voltage Shift #LCD #Photo Current

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소속기관 대구경북과학기술원 태양에너지융합연구센터

주요연구분야 공학 > 화학공학 > 화학공학 일반

논문수 2 이용수 10

윤도영

소속기관 광운대학교 화학공학과

주요연구분야 공학 > 건축공학 > 환경공학 공학 > 화학공학 > 화학공학 일반

논문수 11 이용수 445

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