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자료유형
학술저널
저자정보
이동근 (단국대학교 전자공학과) 류상욱 (단국대학교 전자공학과) 양우석 (한국전자통신연구원) 조성목 (한국전자통신연구원) 전상훈 (한국전자통신연구원) 류호준 (한국전자통신연구원)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제8권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
13 - 17 (5page)

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we have studied characterization of microbolometer based on the co-sputtered silicon-antimony ($Si_{1-x}Sb_x$) thin film for infrared microbolometer. We have investigated the resistivity and the temperature coefficient of resistance (TCR) with annealing. We deposited the films using co-sputtering method at $200^{\circ}C$ in the Ar environment. The Sb concentration has been adjusted by applying variable DC power from Sb targets. TCR of deposited $Si_{1-x}Sb_x$ films have been measured the range of -2.3~-2.8%/K. The resistivity of the film is low but TCR is higher than the other bolometer materials. Resistivity of the films has not been affected hugely according to the low annealing temperature however the resistivity has been dramatically decreased over $250^{\circ}C$. It is caused of a phase change due to the rearrangement of Si and Sb atoms during crystallization process of the films.
#micro bolometer #$Si_{1-x}Sb_x$ #TCR #resistivity #co-sputtering #annealing

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