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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 261 - 266 (6page)
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In this paper, we report the changes of electrical, structural and optical characteristics in Ge2Sb2Te5 thin films according to an increase of Si content. The Si-doped Ge2Sb2Te5 thin films were prepared by rf-magnetron co-sputtering method. Isothermal annealing was carried out at N2 atmosphere. The crystallization speed (v) of amorphous thin films was evaluated by detecting the reflection response signals using a nano-pulse scanner (wavelength = 658 nm) with illumination power of 1∼17 mW and pulse duration of 10∼460 ns. Structural phase changes were evaluated by XRD, and the optical transmittance was measured in the wavelength range of 300∼3000 nm using UV-vis-NIR spectrophotometer. The sheet resistance (RS) of the thin films was measured using 4 point probe. Conclusivlely, the v-value decreased with an increase of Si content, while the RS-values of both crystalline and amorphous phases were increased. In particular, fcc-to-hexagonal transition was suppressed by the added Si atoms.
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B. Qiao / 2006 / Effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 films for phase change random access memory / Appl. Surf. Sci. 252 : 8404 ~
H. Y. Lee / 2000 / Photoinduced dichroism and its low temperature characteristics in obliquely deposited a-AsGeSeS thin films / J. Vac. Sci. Technol. A 18 : 485 ~
J. Feng / 2007 / Si doping in Ge2Sb2Te5film to reduce the writing current of phase change memory / Appl. Phys. A, 87 : 57 ~
J. Maimon / 2001 / Chalcogenide based Non-volatile Memory Technology / IEEE Aerospace
N. Yamada / 1991 / Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / J. Appl. Phys. 69 : 2849 ~
H. Y. Lee / 2000 / Photoinduced dichroism and its low temperature characteristics in obliquely deposited a-AsGeSeS thin films / J. Vac. Sci. Technol. A 18 : 485 ~
J. Feng / 2007 / Si doping in Ge2Sb2Te5film to reduce the writing current of phase change memory / Appl. Phys. A, 87 : 57 ~
J. Maimon / 2001 / Chalcogenide based Non-volatile Memory Technology / IEEE Aerospace
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