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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Woojin (Process Development Team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., LTD.) Fukazawa, Atsuki (ASM Japan K.K., R&D Process Development) Choa, Yong-Ho (Functional Nano-Materials Research Lab, Department of Chemical Engineering, Hanyang University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제9호
발행연도
2016.1
수록면
455 - 459 (5page)

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The deposition process for the gap-filling of sub-micrometer trenches using DMDMOS, $(CH_3)_2Si(OCH_3)_2$, and $C_xH_yO_z$ by flowable chemical vapor deposition (F-CVD) is presented. We obtained low-k films that possess superior gap-filling properties on trench patterns without voids or delamination. The newly developed technique for the gap-filling of submicrometer features will have a great impact on IMD and STI for the next generation of microelectronic devices. Moreover, this bottom up gap-fill mode is expected to be universal in other chemical vapor deposition systems.
#gap fill #f-cvd #low-k #trench pattern #microelectronic

목차

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참고문헌 (11)

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M. Borhr / 1998 / IEEE Trans. Electron Devices 45:620 google schola 2004 / The International Technology Roadmap for Semiconductors. 2004 Update google schola Z. C. Wu / 2001 / J. Electrochem. Soc. 148:F115 google schola G. Y. Lee / 2000 / Advanced Metallization Conference :3~5 google schola A. Grill / 2000 / Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 612:D2.9.1 google schola

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