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저자정보
Gasparyan, Ferdinand V. (Department of Semiconductor Physics and Microelectronics, Yerevan State University) Aroutiounian, Vladimir M. (Department of Semiconductor Physics and Microelectronics, Yerevan State University)
저널정보
테크노프레스 Advances in nano research Advances in nano research 제3권 제1호
발행연도
2015.1
수록면
49 - 54 (6page)

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The structure represents symmetrical metal electrode (gate 1) - front $SiO_2$ layer - n-Si nanowire FET - buried $SiO_2$ layer - metal electrode (gate 2). At the symmetrical gate voltages high conductive regions near the gate 1 - front $SiO_2$ and gate 2 - buried $SiO_2$ interfaces correspondingly, and low conductive region in the central region of the NW are formed. Possibilities of applications of nanosize FETs at the deep inversion and depletion as a distributed capacitance are demonstrated. Capacity density is an order to ${\sim}{\mu}F/cm^2$. The charge density, it distribution and capacity value in the nanowire can be controlled by a small changes in the gate voltages. at the non-symmetrical gate voltages high conductive regions will move to corresponding interfaces and low conductive region will modulate non-symmetrically. In this case source-drain current of the FET will redistributed and change current way. This gives opportunity to investigate surface and bulk transport processes in the nanosize inversion channel.

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