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권성규 (한국전자통신연구원) 조두형 (한국전자통신연구원) 원종일 (한국전자통신연구원) 장현규 (한국전자통신연구원) 정동윤 (한국전자통신연구원) 박건식 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2020.11
수록면
157 - 160 (4page)

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Current driving capability is one of the important specifications in MCT (MOS Controlled Thyristor) which is determined by turn-off characteristics. Meanwhile, high peak anode current and di/dt are related to the turn-on characteristics. Thus, both on-FET and off-FET performance need to be improved. In this paper, the structure of MCT with the off-FET which is turned on at the gate voltage of 0V by forming a “depletion mode off-FET channel region” in a part of the off-FET channel region of the unit cell of an MCT device is presented. The MCT is turned on at an arbitrary gate voltage and turned off at a gate voltage of 0V with adjusting the ion implantation condition. This demonstrates that the turn-on and turn-off characteristics of the MCT are enhanced and can be simplify the gate driving circuit.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 구조 및 제작 방법
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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