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저자정보
안승준 (선문대학교 자연과학대학 신소재과학과) 김대욱 (선문대학교 자연과학대학 신소재과학과) 김종해 (선문대학교 공과대학 전자정보통신공학과) 안성준 (선문대학교 공과대학 전자정보통신공학과) 김영정 (선문대학교 공과대학 재료공학과) 김호섭 (선문대학교 자연과학대학 신소재과학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제6호
발행연도
2004.1
수록면
402 - 406 (5page)

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$WSi_2$, $TiSi_2$, $CoSi_2$, and $TaSi_2$ are general silicides used today in semiconductor devices. $WSi_2$ thin films have been proposed, studied and used recently in CMOS technology extensively to reduce sheet resistance of polysilicon and $n^{+}$ region. However, there are several serious problems encountered because $WSi_2$ is oxidized and forms a native oxide layer at the interface between $WSi_2$ and $Si_3$$N_4$. In this study, we have introduced 20 $slm-N_2$ gas from top to bottom of the furnace in order to control native oxide films between $WSi_2$ and $Si_3$$N_4$ film. In resulting SEM photographs, we have observed that the native oxide films at the surface of $WSi_2$ film are removed using the long injector system.
#Spacer- $Si_3N_4$ thin film #W $WSi_2$ thin film #Metal silicide #Word-line #Bit-line

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