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저자정보
이용덕 (안동대학교 신소재공학부) 황수정 (서울대학교 재료공학부) 이제훈 (㈜삼성전자 LCD 연구소) 주영창 (서울대학교 재료공학부) 박영배 (안동대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
25 - 30 (6page)

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The in-situ scanning electron microscopy observation of real-time hillock evolution in pure hi thin films on glass substrate during Isothermal annealing was analyzed quantitatively to understand the compressive stress relaxation mechanism by focusing on the effect of Mo interlayer between Al film and glass substrate. There is a good correlation between the hillock-induced stress relaxation by in-situ scanning electron microscopy observation ana the measured stress relaxation by wafer curvature method. It is also clearly shown that the existence of Mo interlayer plays an important role in hillock formation probably due to the large difference in interfacial diffusivity of Al films.
#in-situ SEM #hillock #stress relaxation #Al thin film #Mo underlayer

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