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윤성환 (현대오트론) 김신아 (현대오트론) 박태영 (현대오트론) 김영준 (현대오트론) 우재혁 (현대오트론)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2020.8
수록면
92 - 97 (6page)

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In this paper, we introduce a method to overcome the limit of the IGBT’s current sensor area by ESD limitation through the new current sensor structure. New current sensor has a optimization with the main IGBT’s current characteristics without any restriction on ESD, and it has been verified that stable overcurrent diagnosis can be performed without being affected by the external environment and changing the current ratio according to the temperature. It is expected that new current sensor structure will overcome the limit of the current sensor area and improve the operational stability of functionalities.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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