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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.10
- 수록면
- 1,306 - 1,311 (6page)
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본 연구에서는 Ni cluster를 이용하여 제작된 나노 구조체를 반사방지막으로 활용하여 비가시광 UV 광통신용 신호 수신단에 적용 가능한 AlGaN 광다이오드의 성능을 개선하는 구조를 제안하였다. 반사방지막의 제작은 SiO₂ 위에 Ni cluster를 형성한 후 SiO₂를 부분적으로 식각하는 방식으로 제조하였다. 반사방지막이 적용된 샘플은 반사방지막이 없는 구조의 샘플에 비해 상대적으로 작아진 반사도를 보였으며 나노구조체가 없는 SiO₂ 가 증착된 구조에 비해서 입사 광파장의 변화에 대해 균일한 반사도를 보였다. 최종적으로 2 nm 두께의 Ni 층을 열처리하여 제작된 Ni cluster를 이용한 반사방지막을 적용하여 UV 광다이오드를 제작하였고, 그 결과 SiO₂ 단일막을 가진 센서에 비해 240 nm에서 270 nm 파장영역에서 개선된 광반응도를 보였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
G. A. Shaw, A. M. Siegel, J. Model, and D. Greisokh, “Recent progress in short-range ultraviolet communication,” Proceeding SPIE Defense Security Symposium, vol. 5796, pp. 214-225, 2005.
P. Sandvik, L. Burr, S. Soloviev, S. Arthur, K. Matocha, J. Kretchmer, L. Lombardo, and D. Brown, “SiC photodetectors for industrial applications,” Proceeding IEEE Lasers and Electro-Optics Socciety 2005, vol. 1, pp. 319-320, 2005.
S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, “The improvement of GaN pin UV sensor by 8-pair AlGaN/GaN superlattices structure,” Materials Science and Engineering: B, vol. 126, pp. 33?36, 2006.
W. H. Jang and H. Y. Cha, “Development of Selective GaN etching Process for p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET Fabrication,” Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, vol. 24, no. 2, pp. 321-324, 2020.
Y. H. Lee, Y. H. Kim, H. Kim, and J. H. Oh, “Recent Research Trend in Photosensors for Electronic Skin,” Korean Industrial Chemistry News, vol. 21, no. 1, pp. 19-33, 2018.
P. Sandvik, L. Burr, S. Soloviev, S. Arthur, K. Matocha, J. Kretchmer, L. Lombardo, and D. Brown, “SiC photodetectors for industrial applications,” Proceeding IEEE Lasers and Electro-Optics Socciety 2005, vol. 1, pp. 319-320, 2005.
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