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저자정보
Duc Chu Dac (홍익대학교) 최준행 (홍익대학교) 김정진 (홍익대학교) 차호영 (홍익대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제24권 제10호
발행연도
2020.10
수록면
1,306 - 1,311 (6page)

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본 연구에서는 Ni cluster를 이용하여 제작된 나노 구조체를 반사방지막으로 활용하여 비가시광 UV 광통신용 신호 수신단에 적용 가능한 AlGaN 광다이오드의 성능을 개선하는 구조를 제안하였다. 반사방지막의 제작은 SiO₂ 위에 Ni cluster를 형성한 후 SiO₂를 부분적으로 식각하는 방식으로 제조하였다. 반사방지막이 적용된 샘플은 반사방지막이 없는 구조의 샘플에 비해 상대적으로 작아진 반사도를 보였으며 나노구조체가 없는 SiO₂ 가 증착된 구조에 비해서 입사 광파장의 변화에 대해 균일한 반사도를 보였다. 최종적으로 2 nm 두께의 Ni 층을 열처리하여 제작된 Ni cluster를 이용한 반사방지막을 적용하여 UV 광다이오드를 제작하였고, 그 결과 SiO₂ 단일막을 가진 센서에 비해 240 nm에서 270 nm 파장영역에서 개선된 광반응도를 보였다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (11)

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