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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.11
- 수록면
- 115 - 118 (4page)
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Silicon nitride thin films are mainly used for protecting light emitting diodes (LED) from device degradation by vapor and oxygen. However, silicon nitride shows low transmittance at near ultraviolet wavelength and easily crack due to high residual stress.
In this study, silicon nitride and silicon oxynitride (SiOxNy) thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) under different flow ratio between NH₃ and N₂O. As the flow rate of NH₃ increases, fracture toughness of SiOxNy thin film also increases. Also, at the sample of the highest NH₃ flow rate, it shows both higher fracture toughness and lower residual stress than Silicon nitride layer.
In this study, silicon nitride and silicon oxynitride (SiOxNy) thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) under different flow ratio between NH₃ and N₂O. As the flow rate of NH₃ increases, fracture toughness of SiOxNy thin film also increases. Also, at the sample of the highest NH₃ flow rate, it shows both higher fracture toughness and lower residual stress than Silicon nitride layer.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 과정
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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