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저자정보
Baek-Ju Lee (Hanwha Corporation) Dong-Won Seo (Hanwha Corporation) Jae-Wook Choi (Hanwha Corporation)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
208 - 212 (5page)

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In this study, silicon nitride thin films deposited in space division plasma-enhanced atomic-layer deposition were studied in detail. The defect density and impurity concentration of the silicon nitride thin films have a great influence on reading and writing information; therefore, it was confirmed how these parameters change according to process conditions. Plasma treatment was performed to improve the density and impurities of the silicon nitride thin films, and it was analyzed how plasma treatment affects the defect density and impurity concentration of silicon nitride.

목차

Abstract
I. Introduction
II. Experiments and Discussion
Ⅲ. Conclusion
References

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