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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 225 - 225 (1page)
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Transfer characteristics of indium-gallium-zinc-oxide thin film transistors (IGZO TFTs) using HfO<sub>2</sub> and Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> as gate dielectrics were identified. We confirmed that the subthreshold swing of the TFTs with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (0.68 V/decade) is lower than that of TFT with HfO<sub>2</sub> (1.27 V/decade). Also, TFT with Al<sub>2</sub>O<sub> ... 전체 초록 보기
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