Ideal Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Schottky Contact via Defect-Induced Physical Interface Modifier

Donggun Lee; Youn Sang Kim

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Donggun Lee Youn Sang Kim (Seoul National University)

저널정보: 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 2021년 한국진공학회 제60회 동계정기학술대회 초록집

발행연도: 2021.2

수록면: 233 - 233 (1page)

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The amorphous indium-gallium-zinc oxide (IGZO) Schottky contact is widely demanded for switching/sensing purpose electronic devices. [1] However, noble metal/IGZO Schottky contact often induces chemical reaction at the interface between the noble metal and IGZO. [2] Here in, we present a new approach t ... 전체 초록 보기

#Amorphous IGZO #Noble metal/IGZO Schottky contact #Interface XPS #Interface modification

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