상호 결합된 차동인덕터를 이용한 GaAs HBT 공정 기반의 1.9 GHz~2.6 GHz 광대역 선형 전력증폭기 설계

황지원; 전형진; 오한식; 신재경; 최우진; 양영구

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자료유형: 학술저널

저자정보: 황지원 (성균관대학교) 전형진 (성균관대학교) 오한식 (성균관대학교) 신재경 (성균관대학교) 최우진 (성균관대학교) 양영구 (성균관대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제32권 제7호(통권 제290호)

발행연도: 2021.7

수록면: 603 - 609 (7page)

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본 논문에서는 상호 결합된 차동인덕터를 이용한 GaAs hetero-junction bipolar transistor (HBT) 기반의 1.9 GHz～2.6 GHz 광대역 2단 선형 전력증폭기를 설계하였다. 2-section 중간 단 매칭 회로의 일부를 상호 결합된 차동인덕터로 구성하여 매칭 회로의 동작 대역을 넓히고, 회로의 크기를 소형화하였다. 또한, 입력 및 출력단의 광대역 발룬을 이용하여 넓은 주파수 대역에서 선형적으로 동작하도록 최적화하였다. 제작된 선형 전력증폭기는 1.9 GHz～2.6 GHz 주파수 대역에서 22.0 dBm～24.0 dBm 의 최대 출력 전력 특성 및 33.0 %～39.0 %의 최대 효율 특성을 보인다. 또한, two-tone 신호에 대해 IMD3 특성 –30 dBc 이하에서 선형 출력 전력 22 dBm 및 33 % 이상의 높은 효율 특성을 보인다.

#GaAs Hetero-Junction Bipolar Transistor #HBT #Power Amplifier #Differential Inductor

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H. Ahn / 2019 / A fully integrated −32-dB EVM broadband 802.11abgn/AC PA with an external PA driver in WLP 40-nm CMOS / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 67(5):1870~1882

Y. Yang / 2004 / DC boosting effect of active bias circuits and its optimization for class-AB InGap-GaAs HBT power amplifiers / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 52(5):1455~1463

K. Choi / 2010 / A highly linear two-stage amplifier integrated circuit using InGap/GaAs HBT / IEEE Journal of Solid-State Circuits 45(10):2038~2043

H. Oh / 2017 / Doherty power amplifier based on the fundamental current ratio for asymmetric cells / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 65(11):4190~4197

K. Nellis / 2004 / A comparison of linear handset power amplifiers in different bipolar technologies / IEEE Journal of Solid-State Circuits 39(10):1746~1754

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