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오경환 (포항공과대학교) 김향우 (포항공과대학교) 서명해 (포항공과대학교) 이승호 (포항공과대학교) 조현수 (포항공과대학교) 백창기 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
62 - 65 (4page)

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To improve the breakdown voltage of the high voltage FinFET, the breakdown mechanism was analyzed by changing the L<SUB>ch</SUB> of the HfO₂-DeFinFET and L<SUB>ch</SUB> was optimized according the result. When the L<SUB>ch</SUB> is 20 nm, despite the sufficient electric field relaxation, the Avalanche breakdown caused by DIBL greatly occurred, resulting in a low breakdown voltage of 7.53 V. On the other hand, when L<SUB>ch</SUB> was 80 nm, Avalanche occurred due to the strong electric field despite sufficient DIBL tolerance. In particular, at 80 nm L<SUB>ch</SUB>, Zener breakdown is also added due to high band-to-band tunneling, and a low breakdown voltage of 7.41 V was obtained. In consideration of these results, the optimal L<SUB>ch</SUB> was analyzed and the highest breakdown voltage of 7.91 V was obtained at 40 nm L<SUB>ch</SUB>.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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