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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 464 - 466 (3page)
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해당 논문은 TCAD simulation을 이용해 3D VNAND flash memory gate의 물질을 텅스텐과 몰리브덴으로 제작하여 poly-silicon channel에 영향을 확인하기 위해 channel 수평인 XX 방향stress를 확인했다. 두 물질에서 stress 경향성은nitride와 poly-silicon ... 전체 초록 보기
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